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FS-IGBT單管系列產品

華太電子已經成功量產了1200V和650V場截止IGBT(FS-IGBT)。這些器件采用國際領先的第七代工藝,并采用精細溝槽柵的設計。

概覽

華太電子已經成功量產了1200V和650V場截止IGBT(FS-IGBT)產品,FS-IGBT技術在能源轉換、電力控制和汽車電子等領域中發(fā)揮著重要的作用,為提高效率和性能提供了先進的解決方案。
華太FS-IGBT采用國際領先的第七代工藝,基于精細溝槽柵器件結構進行產品開發(fā),上述設計極大地優(yōu)化了IGBT導通損耗和關斷損耗。此外,為適應工業(yè)控制應用領域的需求,FS-IGBT平臺已開發(fā)具備13us短路能力的系列產品。
目前,FS-IGBT已經在多個領域得到推廣應用,包括光伏逆變器、不間斷電源、通用變頻器、伺服驅動器以及汽車空調等應用。
- 超低開關損耗
- 超低靜態(tài)損耗
- 內部集成SiC肖特基二極管(SBD)或FRD可選
- 最大結溫高達175℃
- 符合JEDEC認證標準
- 提升系統(tǒng)能量轉換效率
- 降低系統(tǒng)散熱需求
- 提升系統(tǒng)功率密度
- 提高系統(tǒng)開關頻率

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命名規(guī)則

常見問題

Q:華太IGBT產品和其他國產品牌對比在性能和價格上的優(yōu)勢和劣勢是什么?

A:開關損耗較競品小30%;劣勢:di/dt偏大容易導致電壓應力過大,需要外電路匹配產品具有很好的性價比,產品性能優(yōu)于國際頭部友商,價格與國內IGBT基本持平。

Q:SJIGBT相對FSIGBT的優(yōu)缺點,需要提供相關的測試數據,特別是SJ相對比現在FS的缺點,有碰到哪些問題?成本優(yōu)勢?供應?還是技術還存在某些問題?是否是制約當前SJIGBT發(fā)展的重要因素。

A:開關損耗較競品小30%;劣勢:di/dt偏大容易導致電壓應力過大,需要外電路匹配。

H8G1819M10P

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